Усилители с низким током смещения
Спецификация
| Тип | Изг. | Параметры | Руб. | Мин | Склад | Заказ | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| OP482GSZ | 4 ОУ полев. вход, 4 МГц, 9 В/мкс, Uсм = 0,2 мВ, 10 мкВ/°С, 36 нВ/VГц, Iвх = 0,003 нА, Iвых = 3 мА, Iп = 0,21 мА, Uп = 9...36 В, -40...+85°C, SOIC14 без свинца | 359.1 | 1 | 10 дн | |||
| OP482GPZ | 4 ОУ полев. вход, 4 МГц, 9 В/мкс, Uсм = 0,2 мВ, 10 мкВ/°С, 36 нВ/VГц, Iвх = 0,003 нА, Iвых = 3 мА, Iп = 0,21 мА, Uп = 9...36 В, -40...+85°C, PDIP14, PBF | 418.5 | 1 | 10 дн | |||
| OP282GSZ | 2 ОУ полев. вход, 4 МГц, 9 В/мкс, Uсм = 0,2 мВ, 10 мкВ/°С, 36 нВ/VГц, Iвх = 0,003 нА, Iвых = 3 мА, Iп = 0,21 мА, Uп = 9...36 В, -40...+85°C, SOIC8 | 233.1 | 1 | 10 дн | |||
| OP282ARMZ | Dual Low Power, High Speed JFET Operational Amplifiers | 233.1 | 1 | Нет | |||
| OP249GSZ | 2 ОУ полев. вход, 4,7 МГц, 22 В/мкс, Uсм = 0,4 мВ, 6 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 0,04 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 5,6 мА, Uп = 9...36 В, -40...+85°C, SOIC8 без свинца | 333.9 | 1 | 10 дн | |||
| OP249GPZ | 2 ОУ полев. вход, 4,7 МГц, 22 В/мкс, Uсм = 0,4 мВ, 6 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 0,04 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 5,6 мА, Uп = 9...36 В, -40...+85°C, PDIP8 | 333.9 | 1 | Нет | |||
| OP249AZ | 2 ОУ полев. вход, 4,7 МГц, 22 В/мкс, Uсм = 0,2 мВ, 1 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 0,03 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 5,6 мА, Uп = 9...36 В, -55...+125°C, CerDIP8 | 5044.5 | 1 | 10 дн | |||
| OP200AZ | 2 ОУ бипл., 0,5 МГц, 0,15 В/мкс, Uсм = 0,025 мВ, 0,2 мкВ/°С, 11 нВ/VГц, Iвх = 0,1 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 0,6 мА, Uп = 3...40 В, -55...+125°C, CerDIP8 | 2384.1 | 1 | 10 дн | |||
| OP293FSZ | 2x ОУ, Iпот.=30мкА, 35кГц, SOIC8, -40°C...+125°C | 416.7 | 1 | Нет | |||
| OP193FSZ | ОУ бипл., 0,035 МГц, 0,012 В/мкс, Uсм = 0,15 мВ, 0,2 мкВ/°С, 65 нВ/VГц, Iвх = 15 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 0,03 мА, Uп = 1,7...36 В, -40...+125°C, SOIC8 без свинца | 296.1 | 1 | 10 дн | |||
| AD713JRZ-16 | 4x ОУ, 4МГц, 5мкВ/°C, SOIC16, 0°C - +70°C | 829.8 | 1 | Нет | |||
| AD712KRZ | 2 ОУ полев. вход, 4 МГц, 20 В/мкс, Uсм = 0,2 мВ, 7 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 0,02 нА, Iвых = 25 мА, Iп = 2,5 мА, Uп = 9...36 В, 0...+70°C, SOIC8 без свинца | 615.6 | 1 | 10 дн | |||
| AD712JRZ | 2 ОУ полев. вход, 4 МГц, 20 В/мкс, Uсм = 0,3 мВ, 7 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 0,025 нА, Iвых = 25 мА, Iп = 2,5 мА, Uп = 9...36 В, 0...+70°C, SOIC8 | 322.2 | 1 | 10 дн | |||
| AD712JNZ | 2 ОУ полев. вход, 4 МГц, 20 В/мкс, Uсм = 0,3 мВ, 7 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 0,025 нА, Iвых = 25 мА, Iп = 2,5 мА, Uп = 9...36 В, -40...+85°C, PDIP8 | 322.2 | 1 | 10 дн | |||
| AD712AQ | 2 ОУ полев. вход, 4 МГц, 20 В/мкс, Uсм = 0,3 мВ, 7 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 0,025 нА, Iвых = 25 мА, Iп = 2,5 мА, Uп = 9...36 В, -40...+85°C, CerDIP8 | 1059.3 | 1 | 10 дн | |||
| AD711JRZ | ОУ полев. вход, 4 МГц, 20 В/мкс, Uсм = 0,3 мВ, 7 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 0,015 нА, Iвых = 25 мА, Iп = 2,5 мА, Uп = 9...36 В, 0...+70°C, SOIC8 | 221.4 | 1 | 10 дн | |||
| AD711JNZ | ОУ полев. вход, 4 МГц, 20 В/мкс, Uсм = 0,3 мВ, 7 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 0,015 нА, Iвых = 25 мА, Iп = 2,5 мА, Uп = 9...36 В, 0...+70°C, PDIP8. | 225 | 1 | 10 дн | |||
| AD711AQ | ОУ полев. вход, 4 МГц, 20 В/мкс, Uсм = 0,3 мВ, 7 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 0,015 нА, Iвых = 25 мА, Iп = 2,5 мА, Uп = 9...36 В, -40...+85°C, CerDIP8. | 552.6 | 1 | 10 дн | |||
| AD706ARZ | 2 ОУ бипл., супер b, 0,8 МГц, 0,15 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,2 мкВ/°С, 15 нВ/VГц, Iвх = 0,05 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 0,75 мА, Uп = 4...36 В, -40...+85°C, SOIC8. | 468.9 | 1 | 10 дн | |||
| AD549SH/883B | Военный. ОУ полев. вход, 1 МГц, 3 В/мкс, Uсм = 0,3 мВ, 10 мкВ/°С, 35 нВ/VГц, Iвх = 0,000075 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 0,6 мА, Uп = 10...36 В, -55...+125°C, TO99. | 3823.2 | 1 | Нет | |||
| AD549LHZ | ОУ с ультранизким током смещения 40fA 50kHz 3V/µs 0..70°С TO-99 | 3823.2 | 1 | Нет |